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碳化硅粉末中杂质元素的测定

碳化硅粉末中杂质元素的测定
  • 碳化硅粉末中杂质元素的测定 – 内燃机文摘

    《碳化硅粉末中杂质元素的测定》的作者是刘翰晟,其 《碳化硅粉末中杂质元素的测定》于 1992年发表在上海金属有色分册的第5期上。 《碳化硅粉末中杂质元素的测定》的主要内容是“ 陶瓷材料,高纯酸,杂质分析,微量杂质,热原子,高温技术,混合酸,高压法,最终产品,微电子刘翰晟碳化硅粉末中杂质元素的测定上海有色金属,1992,(5):5758刘翰晟碳化硅粉末中杂质元素的测定[J][J]上海有色金属,1992,(5):5758。 2013年7月7日电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素提出了使用电感耦合等离子体原子发射光谱同时测定碳化硅粉末中杂质元素的测定

  • LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素 分析行业新闻

    Nov 18, 2018· 1引言 碳化硅(SiC)陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性,在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1],因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件Nov 18, 2018· 痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1],因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件,具有LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素 分析行业新闻

  • 9月1日起,高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标 中国粉体网

    Sep 02, 2019· 在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量,而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末 纯度 了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(icpoes)法和电感耦合SN/T 0256 出口碳化硅分析方法 碳化硅含量的测定 3 术语和定义 GB/T 14264、GB/T 22461 界定的以及下列术语和定义适用本文件。 31 相对灵敏度因子 relative sensitivity factor RSF 相对半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次 离子质谱检测

  • 高纯碳化硅中微量元素的测定百度百科

    《高纯碳化硅中微量元素的测定》(Determination of trace elements in silica cabride)是一项待拟定的有关碳化硅的国家标准。 中文名 高纯碳化硅中微量元素的测定 外文名 Determination ofMar 22, 2011· 分析方法本方法为质量分析法, 适用于炭素行业碳化硅 含量大于10 %产品的碳化硅含量分析。 方法原理将试样灰化除碳, 加入硝酸、硫酸、氢氟酸, 之与试样中的硅、二氧化硅碳化硅含量的测定方法 豆丁网 Docin

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    标准名称《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》,技术归口单位为技术归口单位为全国有色金属标准化技术委员会。 标准起草单位为国标(北京)检验认证有限公司,由欢迎监督和反馈:小木虫仅提供交流平台,不对该内容负责。 欢迎协助我们监督管理,共同维护互联网健康,违规、侵权举报等事项,请邮件联系 wangxiaodong2@tal 处理(点此查看侵碳化硅粉末的纯度测试 非金属 小木虫 学术 科研 互动社区

  • 碳化硅粉末中杂质元素的测定《上海金属有色分册》1992年05期

    在这些应用中,已经了解到各种微量杂质元素对最终产品的性能有相当大的影响。 然而目前还缺乏陶瓷材料中痕量杂质分析的可靠方法。 本文报导用新的湿化学—高压法,保证用高纯酸可完全溶解SiC,然后用电热原子吸收法(ETAAS)和等离子发射光谱法(ICPAES)测定溶液Oct 14, 2020· 2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法编制说明pdf,国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》 编制说明(征求意见稿) 一、工作简况 1立项目的和意义 碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体,具有禁带宽、高击穿电 场、高热导2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法编

  • 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅器件中杂质元素

    Jan 21, 2019· 痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1],因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件,具有尺寸大、密度和强度高、致密性好等特点。经内标校准后,各元素标准曲线的线性有较大改善,线性相关系数为 09981~0999。以建立的方法对碳化硅标准参考物质(bams003)中的痕量元素进行测定,并与标准参考 值进行对比,结果一致,证实了la icpms方法应用于碳化硅样品检测的准确性和有效性。采用本方法定量激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅器件中杂质元素pdf

  • 高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标GB/T372542018行业新闻

    Sep 16, 2019· 高纯碳化硅微量元素的测定 (GB/T372542018)规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICPOES)法和电感耦合等离子体质谱 (ICPMS)法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。 本标准适用于碳化硅质量分数含量大于或等于999%的高纯碳化硅材料中铝、砷、钙、铬、铜Mar 22, 2011· 分析方法本方法为质量分析法, 适用于炭素行业碳化硅 含量大于10 %产品的碳化硅含量分析。 方法原理将试样灰化除碳, 加入硝酸、硫酸、氢氟酸, 之与试样中的硅、二氧化硅反应生成四氟化硅除掉,反应式如下。 之后,再加入盐酸溶解杂质,经过 残留物质为碳化硅碳化硅含量的测定方法 豆丁网 Docin

  • 在使用碳化硅制品中有杂质出现,该怎样去除?百度知道

    Feb 18, 2016· 想要去除其杂质就要对其进行酸洗,主要步骤有: 首先,碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下,用硫酸对碳化硅颗粒进行处理,主要目的是 为了去掉碳化硅中的金属铁,氧化铁,镁,铝等杂质,这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属αSiC。 ①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。 ②绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸碳化硅百度百科 Baidu

  • 碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等涨知识

    碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物,硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体,外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石,热安稳性好,2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅,α碳化硅在2400℃依然Mar 06, 2019· 高纯氧化铝中杂质元素的种类及含量直接影响其物理和化学性能,因此对高纯氧化铝中杂质元素的定量分析十分重要。 目前,氧化铝检测杂质的方法有很多,其中,最常用到的有以下6种。 1、原子吸收光谱法 (AA) 对氧化铝化学元素的检测方法中,原子吸收光谱氧化铝中杂质元素常用检测方法找耐火材料网

  • 《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测量 二次离子质谱法》意见

    Oct 31, 2020· 目前,《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测量 二次离子质谱法》正面向社会征求意见,希望相关单位能在仔细研核后提出建设性意见,为标准的进一步完善添砖加瓦。 更多详情请点击: 《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测量 二次离子质谱法》征求May 18, 2022· 杂质可能来源于在制备混合氧化物的方法中使用的原料或起始材料。杂质的总比例通常可以是相对于混合氧化物小于或等于025wt%(≤025wt%)、更特别地小于或等于020wt%(≤020wt%)。 [0055] 氧化锆是该组合物的剩余部分。锆的按重量计比例是作为混合氧化物混合氧化物的纳米颗粒的悬浮液的制作方法

  • 碳化硅杂质 icedu

    杂质碳化硅中的杂质原子一般以替换硅或碳原子的替位方式存在。 其中,氮、磷等原子一般只替代碳,铝原子只替代硅,而硼原子则既可替代硅也可替代碳。 但是,答案: A.晶体硅和晶体碳化硅原子之间通过强烈的共价键结合而成的空间网状结构,都是原子晶体,故A为了准确测定碳化硼粉末中的杂质元素含量,在选择溶解方法时考虑酸溶和碱溶两种方法,由于碱溶法会引人大量的溶剂,影响样品中痕量元素的检测,且要使样品完全分解也比较困难,因此本实验采用酸溶法。 为了更好更快地将碳化硼样品的溶解,通过各种对溶样酸碳化硼粉末中杂质元素含量的测定——等离子体发射光谱法

  • 9月1日起,高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标《中国粉体工

    在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量,而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度,因此建立碳化硅粉表面各种微量杂质元素量的检测方法是很必要的。 9月1日起,高纯碳化硅微量元素的测定本标准适用于碳化硅质量分数含量大于或等于999%的高纯碳化硅材料中铝、砷、钙、铬、铜、铁、汞、钾、镁、锰、钠、镍、铅、硫、钛、锌等16种元素的测定。各元素的测定范围见表1(以质量分数计)。 附陶瓷行业其他标准的实施情况 来源:Internet 关键词高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标GB/T372542018

  • 碳化硅含量的测定方法 豆丁网 Docin

    Mar 22, 2011· 分析方法本方法为质量分析法, 适用于炭素行业碳化硅 含量大于10 %产品的碳化硅含量分析。 方法原理将试样灰化除碳, 加入硝酸、硫酸、氢氟酸, 之与试样中的硅、二氧化硅反应生成四氟化硅除掉,反应式如下。 之后,再加入盐酸溶解杂质,经过 残留物质为碳化硅为了准确测定碳化硼粉末中的杂质元素含量,在选择溶解方法时考虑酸溶和碱溶两种方法,由于碱溶法会引人大量的溶剂,影响样品中痕量元素的检测,且要使样品完全分解也比较困难,因此本实验采用酸溶法。 为了更好更快地将碳化硼样品的溶解,通过各种对溶样酸碳化硼粉末中杂质元素含量的测定——等离子体发射光谱法

  • 详情解析如何去除碳化硅中的杂质—巩义市千家信耐材

    Jul 19, 2019· 2、碳化硅碱洗法 碱洗法也是在碳化硅加热的条件下,用氢氧化钠对碳化硅颗粒进行处理,主要的目的是除去表面的游离硅、SiO2等物质,这样做不仅可以提高碳化硅的含量,还能够加强碳化硅的含量。 而在实际是中酸碱法也是经常被使用的方法,这也是在众多氮和铝是碳化硅中常见的杂质,它们会影响碳化硅的电导率。 纯的碳化硅是用Lely法制造的。 通过将碳化硅粉末在2500°C的氩气氛下升华后再沉积形成鳞片状的单晶,在较冷的基底上可形成尺寸大到2×2cm 2 的单晶。Lely法能生长出高质量的碳化硅单晶。碳化硅 维基百科,自由的百科全书

  • 高纯碳化硅 知乎

    高纯碳化硅粉末以及可以廉价、大量且安全地制造高纯碳化硅粉末的方法。杂质含有率为500ppm以下的高纯碳化硅粉末。 例如在专利文献I中记载了一种方法,将含有大量杂质的碳化硅粉末加入真空容器中,在真空度为9 X 105torr~I X IO^torr的范围内且1500°C~1700°C的Feb 18, 2016· 想要去除其杂质就要对其进行酸洗,主要步骤有: 首先,碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下,用硫酸对碳化硅颗粒进行处理,主要目的是 为了去掉碳化硅中的金属铁,氧化铁,镁,铝等杂质,这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次在使用碳化硅制品中有杂质出现,该怎样去除?百度知道

  • 碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等涨知识

    碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物,硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体,外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石,热安稳性好,2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅,α碳化硅在2400℃依然Nov 25, 2020· 之前看到过2019年4月发布的2020版中国药典草案,说明了要在2020版中国药典增加原辅料元素杂质限度和测定指导原则,正式版里没找到,为什么又不新增了?,2020版中国药典元素杂质,蒲公英 制药技术的传播者 gmp理论的实践者 我觉得迟早会出现在增补版中2020版中国药典元素杂质《中国药典》2020版讨论区蒲公英 制

  • 一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法与流程

    1本发明属于化学检测技术领域,具体涉及一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法。 背景技术: 2碳化硅的硬度高、耐磨性和研磨性能好,并且铀抗热冲击、抗氧化、抗化学试剂作用、抗熔盐和抗熔融金属的高稳定性。 近年来关于其化学元素检测的报道有很多,并发布了国家Mar 20, 2017· 但设备普及率低,跟直流电弧发 射光谱法一样还需配备粉末标准样品。因此,采用 icpaes 是目前最佳选择。 三氯化铱产品标准 附录中已采用了icpaes测定铱化合物中部分元素。并且已 有有关用icpaes 法测定铱化合物中的杂质元素 的报道。 铱粉由于它的难溶性需铱中杂质元素测定ICPAES实验报告doc 豆丁网

  • 【干货】浅析ICPMS法测定药品中元素杂质的方法学要求

    Mar 17, 2021· 国际人用药物注册技术协调会议(ich)q3d元素杂质指南对元素杂质的分类、制剂日允许暴露量与浓度限度之间的转换等做了详细阐述,有利于帮助药企通过风险评估来决定对哪些元素进行额外控制,为药品制订合理的元素限度 [1] 。 2017年6月中国获得批准正式加入ich,这意味着中国的药品监管也将标准名称《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》,技术归口单位为技术归口单位为全国有色金属标准化技术委员会。 标准起草单位为国标(北京)检验认证有限公司,由南京国盛电子有限公司提供样品并进行验证工作、广东先导稀材股份smq

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